トリフェニルスルホニウム 3,3,3-トリフルオロ-2-ヒドロキシ-2-トリフルオロメチルプロピオネート CAS番号: 365971-74-0; ChemWhat コード:1499480
識別
| 製品名 | トリフェニルスルホニウム 3,3,3-トリフルオロ-2-ヒドロキシ-2-トリフルオロメチルプロピオネート |
| IUPAC名 | 3,3,3-トリフルオロ-2-ヒドロキシ-2-(トリフルオロメチル)プロパノエート;トリフェニルスルファニウム |
| 分子構造 | ![]() |
| CASレジストリ番号 | 365971-74-0 |
| EINECS番号 | データなし |
| MDL番号 | データなし |
| ベイルスタイン登録番号 | データなし |
| 同義語 | 3,3,3-トリフルオロ-2-ヒドロキシ-2-(トリフルオロメチル)プロパン酸トリフェニルスルファニウム トリフェニルスルファニウム3,3,3-トリフルオロ-2-ヒドロキシ-2-(トリフルオロメチル)プロパノアート トリフェニルスルファニウム-3,3,3-トリフルオロ-2-ヒドロキシ-2-(トリフルオロメチル)プロパノアート 3,3,3-トリフルオロ-2-ヒドロキシ-2-(トリフルオロメチル)プロパノアートトリフェニルスルホニウム 3,3,3-トリフルオロ-2-ヒドロキシ-2-(トリフルオロメチル)プロパノエート;トリフェニルスルホニウム トリフェニルスルホニウム 3,3,3-トリフルオロ-2-ヒドロキシ-2-(トリフルオロメチル)プロパノアート |
| 分子式 | C22H16F6O3S |
| 分子量 | 474.415 |
| InChI | O=C([O-])C(O)(C(F)(F)F)C(F)(F)F.c1ccc(S+c2ccccc2)cc1 |
| InChIキー | GHOSQFOBODXTJJ-UHFFFAOYSA-M |
| 標準的な SMILES | O=C([O-])C(O)(C(F)(F)F)C(F)(F)F.c1ccc(S+c2ccccc2)cc1 |
| 特許情報 | ||
| 特許ID | Title | 刊行日 |
| EP3498694 | PPAR-γモジュレーターとしての新しいベンズアミド誘導体 | 2019 |
| WO2019 / 126730 | ホスファチジルイノシトールリン酸キナーゼ阻害剤としてのクロメノピリジン誘導体 | 2019 |
| US2018 / 230157 | ピロロ[1,2-b]ピリダジン誘導体 | 2018 |
| WO2018 / 169373 | キナーゼ阻害剤としてのピロロトリアジン誘導体 | 2018 |
| WO2018 / 203194 | 抗菌剤として使用するための第四級アンモニウム基を含むジアザビシクロオクタン誘導体 | 2018 |
物理データ
| 外観 | 白から灰白色の粉末 |
| データなし | |
| 引火点 | データなし |
| 屈折率 | データなし |
| 感度 | データなし |
| 融点、°C | 溶剤(融点) |
| 64 | ヘキサン |
| 55 – 57 | エタノール |
| 62 – 63 | 水溶液 エタノール |
| 63 – 64 | ベンゼン、石油エーテル |
| 沸点、℃ |
| 251 |
| 250 – 252 |
| 密度、g・cm-3 | 基準温度、°C | 測定温度、℃ |
| 1.14 | 4 | 25 |
| 1.2 | 4 | -190 |
| 1.24 |
| 説明(アソシエーション(MCS)) | 溶剤(協会(MCS)) | 気温(協会(MCS))、℃ | パートナー(協会(MCS)) |
| 複合体の安定度定数… | CCl4 | 24.9 | 4-フルオロフェノール |
| 複合体の安定度定数… | 水溶液 HNO3 | 25 | AgNO3 |
| 連想のエンタルピー | アセトニトリル | 25 | ヨウ素 |
| 錯体のNMRスペクトル | CDCl3 | Cu(2,4-ジクロロ安息香酸)2 |
Spectra
| 説明(NMRスペクトロスコピー) | 核(NMRスペクトロスコピー) | 溶媒(NMRスペクトロスコピー) | 温度(NMR分光法)、℃ | 周波数(NMR分光法)、MHz |
| 化学シフト、スペクトル | 1H | クロロホルム-d1 | 25 | 300 |
| 化学シフト、スペクトル | 13C | クロロホルム-d1 | 25 | 75 |
| 説明(IRスペクトロスコピー) | 溶媒(IRスペクトロスコピー) | 温度(IR分光法)、°C |
| バンド | 臭化カリウム | 27 |
| スペクトラム | CCl4 | 14.85 – 54.85 |
| 説明(UV / VIS分光法) | 溶媒(UV / VIS分光法) | コメント(UV / VIS分光法) | 吸収極大(UV / VIS)、nm | 内線 係数、l・mol-1cm-1 |
| 吸収極大 | H2O、H2SO4 | 溶媒の比率:66percent | 258 | 5740 |
| 吸収極大 | H2O、NaOH | 溶媒の比率:0.1N | 232、290 | 8600、3120 |
合成経路(ROS)

| の賃貸条件 | 産出 |
| 20℃の酢酸エチル中の水素を使用。 7600.51 Torrの下; 6hの場合; オートクレーブ; | 99% |
| 0.2C27H36N2 * Ptを使用。 60℃のテトラヒドロフラン中の水素。 3000.3 Torrの下; 5hの場合; 化学選択的反応; | 99% |
| 760.051 Torrの酢酸エチル中の水素を使用。 2hの場合; 加熱; フローリアクター; グリーンケミストリー; | 99% |
| 水素あり; エタノール中のトリエチルアミン。 110℃の水; 30003 Torrの下; 24hの場合; オートクレーブ; | 98% |
| 2-メチルテトラヒドロフラン中の水素; 40℃の水; 15001.5 Torrの下; 24hの場合; 化学選択的反応; | 98% |
| 20℃の水中のテトラヒドロホウ酸ナトリウムを使用。 1.5hの場合; 化学選択的反応; 実験手順 一般的な手順:典型的な実験では、0.5mmolのニトロアレーンと0.002g(2mol%)NiNP / DNAを2mLの水に加えてから、2-3minで完全に混合しました。 続いて、NaBHXNUMXのXNUMBXmmolを、室温で磁気攪拌下で反応混合物に添加した。 反応の程度を薄層クロマトグラフィーで監視しました。結果の再現性は、ランを少なくとも3回繰り返して確認し、許容範囲内(±1%)であることがわかりました。 反応が完了したら、反応混合物を酢酸エチルで希釈し、遠心分離により触媒を回収した。 合わせた有機画分をNa4SO3で乾燥させ、減圧下で蒸発させた。 粗生成物は、溶離液として酢酸エチルとn-ヘキサンの混合物を用いるシリカゲルのカラムクロマトグラフィーにより精製され、酢酸エチルとn-ヘキサンの比率は生成物の構造に依存した。単離された生成物の構造は2Hにより検証された。 NMR。 | 97% |
安全と危険
| GHSのハザード・ステートメント | 未分類 |
その他のデータ
| 輸送手段 | すべての輸送モードでNONH |
| 室温下で光を避けます | |
| HSコード | |
| Storage | 室温下で光を避けます |
| 貯蔵寿命 | 創業2周年 |
| 市場価格 | USD |
| ドラッグライクネス | |
| リピンスキールールコンポーネント | |
| 分子量 | 94.116 |
| ログP | -0.047 |
| HBA | 2 |
| HBD | 1 |
| 一致するリピンスキー規則 | 4 |
| Veberルールコンポーネント | |
| 極表面積(PSA) | 38.91 |
| 回転可能な債券(RotB) | 0 |
| 一致するVeberルール | 2 |
| 使用パターン |
| 高度な半導体リソグラフィーにおける化学増幅型フォトレジストシステムにおいて、光酸発生剤(PAG)として使用される。 |
| 紫外線または深紫外線(DUV)に曝されると、フォトレジスト材料中の触媒的脱保護反応を開始させる強酸を生成し、高解像度のパターン形成を可能にする。 |
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