トリフェニルスルホニウム、2-スルホエチルトリシクロ[3.3.1.13,7]デカン-1-カルボキシレートとの塩(1:1)CAS番号:1228823-28-6; ChemWhat コード:1491738
識別
| 製品名 | トリフェニルスルホニウムと2-スルホエチルトリシクロ[3.3.1.13,7]デカン-1-カルボキシレートの塩(1:1) |
| IUPAC名 | 2-(アダマンタン-1-カルボニルオキシ)エタンスルホネート;トリフェニルスルファニウム |
| 分子構造 | ![]() |
| CASレジストリ番号 | 1228823-28-6 |
| EINECS番号 | データなし |
| MDL番号 | データなし |
| ベイルスタイン登録番号 | データなし |
| 同義語 | トリフェニルスルホニウム2-(アダマンタン-1-カルボニルオキシ)エタンスルホネート |
| 分子式 | C31H34O5S2 |
| 分子量 | 550.7 |
| InChI | InChI=1S/C18H15S.C13H20O5S/c1-4-10-16(11-5-1)19(17-12-6-2-7-13-17)18-14-8-3-9-15-18;14-12(18-1-2-19(15,16)17)13-6-9-3-10(7-13)5-11(4-9)8-13/h1-15H;9-11H,1-8H2,(H,15,16,17)/q+1;/p-1 |
| InChIキー | WYYSEXOKTYXQKL-UHFFFAOYSA-M |
| 標準的な SMILES | C1C2CC3CC1CC(C2)(C3)C(=O)OCCS(=O)(=O)[O-].C1=CC=C(C=C1)[S+](C2=CC=CC=C2)C3=CC=CC=C3 |
| 特許情報 |
| データなし |
物理データ
| データなし |
Spectra
| データなし |
合成経路(ROS)
| の賃貸条件 | 産出 |
| ジクロロメタン中;20℃の水; |
安全と危険
| GHSのハザード・ステートメント | 未分類 |
その他のデータ
| 輸送手段 | すべての輸送モードでNONH |
| 室温下で光を避けます | |
| HSコード | データなし |
| Storage | 室温下で光を避けます |
| 貯蔵寿命 | 創業2周年 |
| 市場価格 | USD |
| ドラッグライクネス | |
| リピンスキールールコンポーネント | |
| 分子量 | 550.74 |
| ログP | 8.03 |
| HBA | 5 |
| HBD | 0 |
| 一致するリピンスキー規則 | 2 |
| Veberルールコンポーネント | |
| 極表面積(PSA) | 91.88 |
| 回転可能な債券(RotB) | 8 |
| 一致するVeberルール | 2 |
| 使用パターン |
| コア機能:光酸発生剤(PAG) |
| 光を吸収し光分解を受ける |
| 強酸(ジフルオロメタンスルホン酸)を生成する 生成された酸は、化学増幅反応を触媒したり、その後のカチオン重合を開始したりすることができます。フォトレジストおよびカチオンフォトポリマー硬化システムにおける重要な機能性添加剤です。 II. 主な応用分野 1.半導体フォトレジスト(化学増幅型フォトレジスト、CAR) 適用対象: i線、KrF、ArFリソグラフィーシステム 高解像度化学増幅フォトレジスト 主な機能: 露出時の酸生成 脱保護反応を触媒する 露光効果を増幅 → 解像度、感度、限界寸法/ラインエッジ粗さ(CD/LER)制御を向上 アダマンチル構造の利点: 高い熱安定性を実現 酸の拡散を低減 → 解像度とラインエッジ粗さを向上 フォトレジストの光学性能と配合安定性を向上 カチオン光硬化システム エポキシ樹脂およびビニルエーテル材料の紫外線誘起カチオン硬化に使用される UV照射 → 酸生成 → カチオン開環重合または架橋を開始 アプリケーションが含まれます: UV硬化型コーティングとインク 電子封止材料 光パターン化絶縁層(例:PSPI、PI) |
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